AQX IRF7416TRPBF નવું અને મૂળ સંકલિત સર્કિટ ic ચિપ IRF7416TRPBF
ઉત્પાદન વિશેષતાઓ
| TYPE | વર્ણન |
| શ્રેણી | ડિસ્ક્રીટ સેમિકન્ડક્ટર પ્રોડક્ટ્સ |
| Mfr | ઇન્ફાઇનન ટેક્નોલોજીસ |
| શ્રેણી | HEXFET® |
| પેકેજ | ટેપ અને રીલ (TR) કટ ટેપ (CT) ડિજી-રીલ® |
| ઉત્પાદન સ્થિતિ | સક્રિય |
| FET પ્રકાર | પી-ચેનલ |
| ટેકનોલોજી | MOSFET (મેટલ ઓક્સાઇડ) |
| ડ્રેઇન ટુ સોર્સ વોલ્ટેજ (Vdss) | 30 વી |
| વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (Id) @ 25°C | 10A (તા) |
| ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મહત્તમ Rds ચાલુ, લઘુત્તમ Rds ચાલુ) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs(th) (મહત્તમ) @ Id | 1V @ 250µA |
| ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs | 92 nC @ 10 વી |
| Vgs (મહત્તમ) | ±20V |
| ઇનપુટ કેપેસીટન્સ (Ciss) (મહત્તમ) @ Vds | 1700 પીએફ @ 25 વી |
| FET લક્ષણ | - |
| પાવર ડિસીપેશન (મહત્તમ) | 2.5W (Ta) |
| ઓપરેટિંગ તાપમાન | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| માઉન્ટિંગ પ્રકાર | સપાટી માઉન્ટ |
| સપ્લાયર ઉપકરણ પેકેજ | 8-SO |
| પેકેજ / કેસ | 8-SOIC (0.154″, 3.90mm પહોળાઈ) |
| બેઝ પ્રોડક્ટ નંબર | IRF7416 |
દસ્તાવેજો અને મીડિયા
| સંસાધન પ્રકાર | લિંક |
| માહિતી પત્ર | IRF7416PbF |
| અન્ય સંબંધિત દસ્તાવેજો | IR ભાગ નંબરિંગ સિસ્ટમ |
| ઉત્પાદન તાલીમ મોડ્યુલો | હાઇ વોલ્ટેજ ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ્સ (HVIC ગેટ ડ્રાઇવર્સ) |
| ફીચર્ડ ઉત્પાદન | ડેટા પ્રોસેસિંગ સિસ્ટમ્સ |
| HTML ડેટાશીટ | IRF7416PbF |
| EDA મોડલ્સ | અલ્ટ્રા લાઇબ્રેરિયન દ્વારા IRF7416TRPBF |
| સિમ્યુલેશન મોડલ્સ | IRF7416PBF સાબર મોડલ |
પર્યાવરણીય અને નિકાસ વર્ગીકરણ
| ATTRIBUTE | વર્ણન |
| RoHS સ્થિતિ | ROHS3 સુસંગત |
| ભેજ સંવેદનશીલતા સ્તર (MSL) | 1 (અમર્યાદિત) |
| પહોંચ સ્થિતિ | અપ્રભાવિત પહોંચો |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
વધારાના સંસાધનો
| ATTRIBUTE | વર્ણન |
| બીજા નામો | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| માનક પેકેજ | 4,000 છે |
IRF7416
લાભો
વિશાળ SOA માટે પ્લાનર સેલ સ્ટ્રક્ચર
વિતરણ ભાગીદારો તરફથી વ્યાપક ઉપલબ્ધતા માટે ઑપ્ટિમાઇઝ
JEDEC ધોરણ અનુસાર ઉત્પાદન લાયકાત
<100KHz થી નીચે સ્વિચ કરતી એપ્લિકેશનો માટે સિલિકોન ઑપ્ટિમાઇઝ
ઉદ્યોગ પ્રમાણભૂત સપાટી-માઉન્ટ પાવર પેકેજ
વેવ-સોલ્ડર કરવામાં સક્ષમ
SO-8 પેકેજમાં -30V સિંગલ પી-ચેનલ HEXFET પાવર MOSFET
લાભો
RoHS સુસંગત
લો RDS (ચાલુ)
ઉદ્યોગ-અગ્રણી ગુણવત્તા
ડાયનેમિક ડીવી/ડીટી રેટિંગ
ઝડપી સ્વિચિંગ
સંપૂર્ણપણે હિમપ્રપાત રેટ કર્યું
175°C ઓપરેટિંગ તાપમાન
પી-ચેનલ MOSFET
ટ્રાન્ઝિસ્ટર
ટ્રાંઝિસ્ટર એ છેસેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણપ્રયોગ મા લાવવુવિસ્તૃત કરોઅથવાસ્વિચવિદ્યુત સંકેતો અનેશક્તિ.ટ્રાન્ઝિસ્ટર એ આધુનિકના મૂળભૂત બિલ્ડીંગ બ્લોક્સમાંનું એક છેઇલેક્ટ્રોનિક્સ.[1]તે બનેલું છેસેમિકન્ડક્ટર સામગ્રી, સામાન્ય રીતે ઓછામાં ઓછા ત્રણ સાથેટર્મિનલ્સઇલેક્ટ્રોનિક સર્કિટ સાથે જોડાણ માટે.એવિદ્યુત્સ્થીતિમાનઅથવાવર્તમાનટ્રાન્ઝિસ્ટરના ટર્મિનલ્સની એક જોડી પર લાગુ કરવામાં આવે છે તે ટર્મિનલની બીજી જોડી દ્વારા વર્તમાનને નિયંત્રિત કરે છે.કારણ કે નિયંત્રિત (આઉટપુટ) પાવર કન્ટ્રોલિંગ (ઇનપુટ) પાવર કરતા વધારે હોઈ શકે છે, ટ્રાંઝિસ્ટર સિગ્નલને વિસ્તૃત કરી શકે છે.કેટલાક ટ્રાન્ઝિસ્ટર વ્યક્તિગત રીતે પેક કરવામાં આવે છે, પરંતુ ઘણા વધુ એમ્બેડેડ જોવા મળે છેઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ.
ઓસ્ટ્રો-હંગેરિયન ભૌતિકશાસ્ત્રી જુલિયસ એડગર લિલીએનફેલ્ડએનો ખ્યાલ પ્રસ્તાવિત કર્યોફિલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાંઝિસ્ટર1926 માં, પરંતુ તે સમયે કાર્યકારી ઉપકરણ બનાવવું શક્ય ન હતું.[2]બાંધવામાં આવેલ પ્રથમ કાર્યકારી ઉપકરણ એ હતુંબિંદુ-સંપર્ક ટ્રાન્ઝિસ્ટરઅમેરિકન ભૌતિકશાસ્ત્રીઓ દ્વારા 1947 માં શોધ કરવામાં આવી હતીજ્હોન બાર્ડીનઅનેવોલ્ટર Brattainહેઠળ કામ કરતી વખતેવિલિયમ શોકલીખાતેબેલ લેબ્સ.ત્રણેએ 1956 શેર કર્યુંભૌતિકશાસ્ત્રમાં નોબેલ પુરસ્કારતેમની સિદ્ધિ માટે.[૩]ટ્રાંઝિસ્ટરનો સૌથી વધુ ઉપયોગમાં લેવાતો પ્રકાર છેમેટલ-ઓક્સાઇડ-સેમિકન્ડક્ટર ફીલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર(MOSFET), જેની શોધ કરવામાં આવી હતીમોહમ્મદ અતાલ્લાઅનેડોન કહંગ1959માં બેલ લેબ્સમાં.[4][5][6]ટ્રાન્ઝિસ્ટરે ઇલેક્ટ્રોનિક્સના ક્ષેત્રમાં ક્રાંતિ લાવી, અને નાના અને સસ્તા માટેનો માર્ગ મોકળો કર્યોરેડિયો,કેલ્ક્યુલેટર, અનેકમ્પ્યુટર્સ, અન્ય વસ્તુઓ વચ્ચે.
મોટાભાગના ટ્રાન્ઝિસ્ટર ખૂબ જ શુદ્ધમાંથી બનાવવામાં આવે છેસિલિકોન, અને કેટલાક થીજર્મેનિયમ, પરંતુ કેટલીક અન્ય સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે.ફિલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં ટ્રાંઝિસ્ટરમાં માત્ર એક જ પ્રકારનું ચાર્જ કેરિયર હોઈ શકે છે અથવા તેમાં બે પ્રકારના ચાર્જ કેરિયર હોઈ શકે છે.બાયપોલર જંકશન ટ્રાંઝિસ્ટરઉપકરણોની સાથે સરખામણીવેક્યુમ ટ્યુબ, ટ્રાન્ઝિસ્ટર સામાન્ય રીતે નાના હોય છે અને તેને ચલાવવા માટે ઓછી શક્તિની જરૂર પડે છે.ચોક્કસ વેક્યૂમ ટ્યુબમાં ખૂબ જ ઊંચી ઓપરેટિંગ ફ્રીક્વન્સીઝ અથવા ઉચ્ચ ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજ પર ટ્રાન્ઝિસ્ટર કરતાં ફાયદા છે.ઘણા પ્રકારના ટ્રાન્ઝિસ્ટર બહુવિધ ઉત્પાદકો દ્વારા પ્રમાણિત વિશિષ્ટતાઓ અનુસાર બનાવવામાં આવે છે.
