STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP ટ્યુબ
ઉત્પાદન વિશેષતાઓ
| EU RoHS | મુક્તિ સાથે સુસંગત |
| ECCN (યુએસ) | EAR99 |
| ભાગ સ્થિતિ | સક્રિય |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | હા |
| SVHC થ્રેશોલ્ડ ઓળંગે છે | હા |
| ઓટોમોટિવ | No |
| PPAP | No |
| ઉત્પાદન ના પ્રકાર | પાવર MOSFET |
| રૂપરેખાંકન | એકલુ |
| પ્રક્રિયા ટેકનોલોજી | સુપરમેશ |
| ચેનલ મોડ | ઉન્નતીકરણ |
| ચેનલ પ્રકાર | N |
| ચિપ દીઠ તત્વોની સંખ્યા | 1 |
| મહત્તમ ડ્રેઇન સ્ત્રોત વોલ્ટેજ (V) | 800 |
| મહત્તમ ગેટ સ્ત્રોત વોલ્ટેજ (V) | ±30 |
| મહત્તમ ગેટ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ (V) | 5 |
| ઓપરેટિંગ જંકશન તાપમાન (°C) | -55 થી 150 |
| મહત્તમ સતત ડ્રેઇન વર્તમાન (A) | 12 |
| મહત્તમ ગેટ સ્ત્રોત લિકેજ વર્તમાન (nA) | 10000 |
| મહત્તમ IDSS (uA) | 1 |
| મહત્તમ ડ્રેઇન સ્ત્રોત પ્રતિકાર (mOhm) | 450@10V |
| લાક્ષણિક ગેટ ચાર્જ @ Vgs (nC) | 27@10V |
| લાક્ષણિક ગેટ ચાર્જ @ 10V (nC) | 27 |
| લાક્ષણિક ઇનપુટ કેપેસીટન્સ @ Vds (pF) | 870@100V |
| મહત્તમ પાવર ડિસીપેશન (mW) | 35000 |
| સામાન્ય પતનનો સમય (ns) | 16 |
| લાક્ષણિક ઉદય સમય (ns) | 16 |
| લાક્ષણિક ટર્ન-ઓફ વિલંબ સમય (ns) | 42 |
| લાક્ષણિક ટર્ન-ઓન વિલંબ સમય (ns) | 16 |
| ન્યૂનતમ ઓપરેટિંગ તાપમાન (°C) | -55 |
| મહત્તમ ઓપરેટિંગ તાપમાન (°C) | 150 |
| સપ્લાયર તાપમાન ગ્રેડ | ઔદ્યોગિક |
| પેકેજીંગ | ટ્યુબ |
| મહત્તમ હકારાત્મક ગેટ સ્ત્રોત વોલ્ટેજ (V) | 30 |
| મહત્તમ ડાયોડ ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ (V) | 1.5 |
| માઉન્ટ કરવાનું | છિદ્ર દ્વારા |
| પેકેજ ઊંચાઈ | 16.4(મહત્તમ) |
| પેકેજ પહોળાઈ | 4.6(મહત્તમ) |
| પેકેજ લંબાઈ | 10.4(મહત્તમ) |
| પીસીબી બદલાયો | 3 |
| ટૅબ | ટૅબ |
| માનક પેકેજ નામ | TO |
| સપ્લાયર પેકેજ | TO-220FP |
| પિન કાઉન્ટ | 3 |
| લીડ આકાર | છિદ્ર દ્વારા |
પરિચય
ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્યુબ એ છેઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણઇલેક્ટ્રોનિક સર્કિટમાં વર્તમાનને નિયંત્રિત અને નિયમન કરવા માટે વપરાય છે.તે ખૂબ જ ઉચ્ચ વર્તમાન ગેઇન સાથે એક નાનો ટ્રાયોડ છે.ઇલેક્ટ્રોનિક સર્કિટમાં ફેટ્સનો વ્યાપકપણે ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે, જેમ કેપાવર એમ્પ્લીફાયર, એમ્પ્લીફાયર સર્કિટ, ફિલ્ટર સર્કિટ,સ્વિચિંગ સર્કિટઅને તેથી વધુ.
ફિલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્યુબનો સિદ્ધાંત એ ફિલ્ડ ઇફેક્ટ છે, જે એક વિદ્યુત ઘટના છે જે સિલિકોન જેવી કેટલીક સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીનો સંદર્ભ આપે છે, લાગુ ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ લાગુ કર્યા પછી, તેના ઇલેક્ટ્રોનની પ્રવૃત્તિમાં નોંધપાત્ર સુધારો થાય છે, આમ તેના વાહકમાં ફેરફાર થાય છે. ગુણધર્મોતેથી, જો વીજળીસી ક્ષેત્ર સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીની સપાટી પર લાગુ થાય છે, તેના વાહક ગુણધર્મોને નિયંત્રિત કરી શકાય છે, જેથી વર્તમાનને નિયંત્રિત કરવાના હેતુને પ્રાપ્ત કરી શકાય.
ફેટ્સને એન-ટાઈપ ફેટ્સ અને પી-ટાઈપ ફેટ્સમાં વિભાજિત કરવામાં આવે છે.એન-ટાઈપ ફેટ્સ ઉચ્ચ ફોરવર્ડ વાહકતા અને ઓછી વિપરીત વાહકતા સાથે એન-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીઓથી બનેલા છે.પી-ટાઈપ ફેટ્સ ઉચ્ચ રિવર્સ વાહકતા અને ઓછી ફોરવર્ડ વાહકતા સાથે પી-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલમાંથી બને છે.એન-ટાઈપ ફીલ્ડ ઈફેક્ટ ટ્યુબ અને પી-ટાઈપ ફીલ્ડ ઈફેક્ટ ટ્યુબથી બનેલી ફીલ્ડ ઈફેક્ટ ટ્યુબ વર્તમાન નિયંત્રણને અનુભવી શકે છે.
FET ની મુખ્ય વિશેષતા એ છે કે તેમાં ઉચ્ચ પ્રવાહનો લાભ છે, જે ઉચ્ચ આવર્તન અને ઉચ્ચ સંવેદનશીલતા સર્કિટ માટે યોગ્ય છે, અને તેમાં ઓછા અવાજ અને ઓછા કટઓફ અવાજની લાક્ષણિકતાઓ છે.તેમાં ઓછા વીજ વપરાશ, ઓછી ગરમીનું વિસર્જન, સ્થિરતા અને વિશ્વસનીયતાના ફાયદા પણ છે અને તે એક આદર્શ વર્તમાન નિયંત્રણ તત્વ છે.
ફેટ્સ સામાન્ય ટ્રાયોડ્સની સમાન રીતે કાર્ય કરે છે, પરંતુ ઉચ્ચ વર્તમાન લાભ સાથે.તેના કાર્યકારી સર્કિટને સામાન્ય રીતે ત્રણ ભાગોમાં વહેંચવામાં આવે છે: સ્ત્રોત, ડ્રેઇન અને નિયંત્રણ.સ્ત્રોત અને ગટર પ્રવાહનો માર્ગ બનાવે છે, જ્યારે નિયંત્રણ ધ્રુવ પ્રવાહના પ્રવાહને નિયંત્રિત કરે છે.જ્યારે નિયંત્રણ ધ્રુવ પર વોલ્ટેજ લાગુ કરવામાં આવે છે, ત્યારે પ્રવાહના પ્રવાહને નિયંત્રિત કરી શકાય છે, જેથી વર્તમાનને નિયંત્રિત કરવાના હેતુને પ્રાપ્ત કરી શકાય.
પ્રેક્ટિકલ એપ્લીકેશનમાં, ફેટ્સનો ઉપયોગ ઘણી વખત ઉચ્ચ આવર્તન સર્કિટમાં થાય છે, જેમ કે પાવર એમ્પ્લીફાયર, ફિલ્ટર સર્કિટ, સ્વિચિંગ સર્કિટ વગેરે. ઉદાહરણ તરીકે, પાવર એમ્પ્લીફાયરમાં, ફેટ્સ ઇનપુટ વર્તમાનને વિસ્તૃત કરી શકે છે, જેનાથી આઉટપુટ પાવર વધે છે;ફિલ્ટર સર્કિટમાં, ફિલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્યુબ સર્કિટમાં અવાજને ફિલ્ટર કરી શકે છે.સ્વિચિંગ સર્કિટમાં, FET સ્વિચિંગ ફંક્શનને સમજી શકે છે.
સામાન્ય રીતે, ફેટ્સ એ એક મહત્વપૂર્ણ ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટક છે અને ઇલેક્ટ્રોનિક સર્કિટમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે.તેમાં ઉચ્ચ વર્તમાન લાભ, ઓછો વીજ વપરાશ, સ્થિરતા અને વિશ્વસનીયતાની લાક્ષણિકતાઓ છે અને તે આદર્શ વર્તમાન નિયંત્રણ તત્વ છે.
